A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3 NXP USA Inc.

Где купить A2G35S200-01SR3?

A2G35S200-01SR3 — это полевой транзистор (FET), МОП-транзистор (MOSFET) RF, произведённый компанией NXP USA Inc. Несмотря на то, что мы не являемся официальным дистрибьютором или дилером бренда NXP USA Inc., мы продаём только оригинальные полевые транзисторы и МОП-транзисторы RF, обеспечивая доступ к подлинным электронным компонентам NXP USA Inc. по конкурентоспособным ценам.

Какая цена A2G35S200-01SR3?

Точная цена A2G35S200-01SR3 зависит от количества, которое вы планируете заказать. Мы предоставим вам коммерческое предложение после того, как вы заполните нашу контактную форму для получения точной информации по стоимости.

Почему стоит выбрать ICHOME для покупки A2G35S200-01SR3?

1. Конкурентоспособная цена (снижение BOM-стоимости) — мы предлагаем привлекательные цены на A2G35S200-01SR3, что позволяет вам существенно снизить стоимость производства.
2. Быстрая доставка — мы обеспечиваем оперативную доставку, чтобы ваш проект не задерживался.
3. Удовлетворённость клиентов — наш приоритет — это ваши потребности. Мы стремимся к долгосрочному и успешному сотрудничеству с каждым клиентом.

Основные характеристики модели A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3 — это высокоэффективный МОП-транзистор, который обеспечивает отличную работу в радио частотных приложениях. Он предназначен для работы в диапазоне частот, характерных для высокоскоростных и высокоэнергетических систем. Этот компонент оптимизирован для усилителей мощности и других приложений с высокой производительностью.

Технические характеристики:

• Рабочая частота: до 2 ГГц
• Выходная мощность: 200 Вт
• Тип корпуса: LGA (линии с плоским монтажом)
• Напряжение стока: 50 В

Применения модели A2G35S200-01SR3

Модель A2G35S200-01SR3 идеально подходит для различных RF-приложений, таких как усилители мощности для сотовых сетей, радиолокационные системы, а также для применения в спутниковой связи и других высокочастотных коммуникационных системах. Он может использоваться в промышленных и коммерческих областях, требующих надёжности и стабильности в работе.

Сравнение A2G35S200-01SR3 с конкурентами

В сравнении с другими транзисторами RF, A2G35S200-01SR3 выделяется своей высокой производительностью и надёжностью. Например, его конкурент — модель A2G20S150-01SR3 — имеет меньшую выходную мощность, что ограничивает её применение в высокоскоростных коммуникациях. Таким образом, A2G35S200-01SR3 будет предпочтительнее для задач, требующих высокой мощности и стабильности на длительный срок.

Получите коммерческое предложение!

Готовы купить A2G35S200-01SR3? Свяжитесь с нами сегодня для получения коммерческого предложения. Заполните форму ниже или отправьте запрос по электронной почте. Мы поможем вам сделать экономически выгодный выбор, не теряя в качестве.

Трудно найти A2G35S200-01SR3 ?

Компания ICHOME обеспечивает комплексный поиск спецификаций, начиная с анализа рисков компонентов (EOL, solo-source и т.д.), предложений по замене, поддержки проектирования и поставки всех компонентов спецификации.

Свяжитесь с нами →